MIPOX GaN-on-Si 기판에 필름 연마 방식 엣지 광택의 효과에 대해 ①

GaN-on-Si 기판에 필름 연마 방식 엣지 광택의 효과에 대해 ①



GaN은 파워 디바이스 나 LED 고주파 용도에 사용되는 반도체 재료입니다. 단결정 기판과 함께 Si 위에 GaN 층을 성장시키는 GaN-on-Si 도 최근 급격히 확산되고있는 상황이며, GaN 디바이스 제조에 상당한 비용 절감을 달성 하는 방법의 하나로서 기대되고 있습니다.

그러나 GaN-on-Si는 GaN 층과 Si 층이나 높은 열팽창 계수의 차이가 있고 그것에 의해 초래되는 인장 응력에 의해 GaN 층의 파손이 발생하기 쉽고, 또한 약간의 충격이나 계기로, 특히 모서리 부분의 결함으로 쉽게 파손되기 때문에 취급이 어려운 기판의 하나로서 다루어지고 있습니다.

그 문제를 피하기 위해 GaN-on-Si에 대해서는 아래의 대책을 실시하는 것이 많습니다.

•① 비표준의 매우 두꺼운 Si 기판을 이용하여 GaN 층 성장 후 변형을 억제

•② 비표준의 두께의 Si 기판의 조달이 곤란한 경우, 대구경 사이즈에서 크기 를 다운을하고 그 두께를 확보하기

•③ 결함이 발생하기 쉬운 GaN-on-Si의 외주부 부근을 제거하기 위해 GaN 막 성장 후 사이즈 다운 가공을 실시한다.

어떤 대책 방법도 GaN-onSi이 안고있는 문제에 대해 일정한 효과는 기대할 수 있지만 비표준 Si 고 가장자리에서 충분한 모따기 가공 경면 화가 진행되지 않는 경우가 많고, 또한 크기 다운 처리 후 노출된 예리하고 거친 가장자리는 GaN-on-Si의 강도에 치명적인 악영향을주게되고, 그 대책의 효과를 얻을 수 없거나 얻기 힘든 상황이 일반적입니다 .

Mipox 필름 연마 방식 에지 폴리싱 프로세스는 다음과 같은 특징을 가지고 GaN-on-Si가 안고있는 여러 문제의 해결을위한 효과를 발휘합니다.

•낮은 데미지로 GaN-on-Si 기판의 가장자리를 모따기 경면 화까지 처리 가능 (연삭 가공과 비교하여 GaN 층에 미치는 영향 (스트레스)이 적다고되어있다)

•GaN-on-Si의 특징 인 변형의 억제를 위해 사용되는 두꺼운 Si 기판에 유연하게 대응 가능


•크게 구부러져있는 GaN-onS 기판도 그것을 교정하지 않고 가장자리 모따기 &경면 화가 가능하다. GaN 층에 스트레스가 적다.


연마후 확대사진


연마기구 개요.


연마가공중인 사진


SOLEXEL 60sec # 800