전회기사 링크 :실리콘의 한계를 뛰어넘는 'SiC MEMS'란? 차세대 극한 센서를 완성하는 초정밀 엣지 연마 기술 실리콘의 한계를 뛰어넘는 'SiC MEMS'란? 차세대 극한 센서를 완성하는 초정밀 엣지 연마 기술
1. 차세대 반도체의 핵심, 이종 소재 집적(Heterogeneous Integration)
5G/6G 통신 기지국, 고성능 자율주행 레이더, 극한 환경용 MEMS 센서 등 미래 산업을 주도하는 디바이스들은 더 이상 단일 실리콘(Si) 소재만으로 요구 성능을 만족시킬 수 없습니다. 이를 극복하기 위해 압전 재료(LT/LN), 질화갈륨(GaN), 사파이어 등 특화된 박막 소재 하단에 기계적 강도와 열전도성이 극대화된 '탄화규소(SiC)' 기판을 접합하는 '이종 소재 하이브리드 기판'이 차세대 디바이스의 글로벌 표준으로 자리 잡고 있습니다.
대양하이테크는 일본 마이폭스(Mipox) 및 D-process와의 독점적 파트너십을 통해, 열 변형을 완벽히 차단하고 소재 본연의 특성을 극대화하는 [초정밀 CMP + 상온 다이렉트 접합] 턴키 수탁 가공 서비스를 국내 기업에 제공합니다.
2. 대양하이테크가 제공하는 핵심 기술 역량
① 초고진공 다이렉트 상온 접합 (Room Temperature Bonding)
서로 다른 열팽창 계수(CTE)를 가진 두 소재를 고온 열처리나 접착제(Adhesive)로 결합하면, 냉각 시 기판이 파손되거나 불순물에 의해 디바이스 성능이 급감합니다. 당사가 제공하는 솔루션은 진공 상태에서 표면 에너지를 활성화하여 열 인가 없이 원자 간의 공유 결합(Direct Covalent Bond)을 유도합니다. 어떠한 열적 스트레스도 발생하지 않아 완벽한 이종 결합 기판을 완성합니다. (최대 12인치 웨이퍼 대응)
② 상온 접합의 절대 조건, 극저(極低) 단차 초정밀 CMP 연마
원자 간 직접 결합이 이루어지려면 두 기판의 접합면이 나노미터(nm) 단위의 오차도 없는 완벽한 평활도와 청정도를 갖추어야 합니다. 대양하이테크는 세계 최고 수준의 난삭재 가공 노하우를 바탕으로, 극한의 강도를 지닌 SiC 웨이퍼를 상온 접합에 최적화된 '서브 나노(Sub-nm) 급 경면'으로 완벽하게 평탄화(CMP)하는 선행 가공을 일괄 지원합니다.
3. 주요 대응 애플리케이션
RF 통신 부품: POI(Piezoelectric on Insulator) 접합을 통한 고성능 표면 탄성파(SAW/BAW) 필터
전력 반도체: GaN-on-SiC 구조를 활용한 초고출력 HEMT 디바이스
광학/센서 부품: 사파이어 x SiC 결합을 통한 초정밀 광학 미러 및 극한 환경용 인텔리전트 MEMS 센서
4. R&D부터 양산 셋업까지, One-Stop 서비스 혜택
신소재 하이브리드 기판 개발 시, 웨이퍼 엣지 가공, 표면 연마, 진공 접합을 각기 다른 외주사에 의뢰할 경우 공정 호환성 결여로 막대한 R&D 리소스가 낭비됩니다. 대양하이테크를 통한 원스톱(One-stop) 수탁 가공을 이용하시면, 초기 막대한 설비 투자(CAPEX) 리스크를 회피하고 개발 리드타임을 획기적으로 단축할 수 있습니다.
단 1장의 선행 테스트 시편부터 대량 양산 조건 도출까지, 귀사의 차세대 신제품 개발을 성공으로 이끌어 줄 가장 신뢰할 수 있는 기술 파트너, 대양하이테크와 상의하십시오.
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1. 차세대 반도체의 핵심, 이종 소재 집적(Heterogeneous Integration)
5G/6G 통신 기지국, 고성능 자율주행 레이더, 극한 환경용 MEMS 센서 등 미래 산업을 주도하는 디바이스들은 더 이상 단일 실리콘(Si) 소재만으로 요구 성능을 만족시킬 수 없습니다. 이를 극복하기 위해 압전 재료(LT/LN), 질화갈륨(GaN), 사파이어 등 특화된 박막 소재 하단에 기계적 강도와 열전도성이 극대화된 '탄화규소(SiC)' 기판을 접합하는 '이종 소재 하이브리드 기판'이 차세대 디바이스의 글로벌 표준으로 자리 잡고 있습니다.
대양하이테크는 일본 마이폭스(Mipox) 및 D-process와의 독점적 파트너십을 통해, 열 변형을 완벽히 차단하고 소재 본연의 특성을 극대화하는 [초정밀 CMP + 상온 다이렉트 접합] 턴키 수탁 가공 서비스를 국내 기업에 제공합니다.
2. 대양하이테크가 제공하는 핵심 기술 역량
① 초고진공 다이렉트 상온 접합 (Room Temperature Bonding) 서로 다른 열팽창 계수(CTE)를 가진 두 소재를 고온 열처리나 접착제(Adhesive)로 결합하면, 냉각 시 기판이 파손되거나 불순물에 의해 디바이스 성능이 급감합니다. 당사가 제공하는 솔루션은 진공 상태에서 표면 에너지를 활성화하여 열 인가 없이 원자 간의 공유 결합(Direct Covalent Bond)을 유도합니다. 어떠한 열적 스트레스도 발생하지 않아 완벽한 이종 결합 기판을 완성합니다. (최대 12인치 웨이퍼 대응)
② 상온 접합의 절대 조건, 극저(極低) 단차 초정밀 CMP 연마 원자 간 직접 결합이 이루어지려면 두 기판의 접합면이 나노미터(nm) 단위의 오차도 없는 완벽한 평활도와 청정도를 갖추어야 합니다. 대양하이테크는 세계 최고 수준의 난삭재 가공 노하우를 바탕으로, 극한의 강도를 지닌 SiC 웨이퍼를 상온 접합에 최적화된 '서브 나노(Sub-nm) 급 경면'으로 완벽하게 평탄화(CMP)하는 선행 가공을 일괄 지원합니다.
3. 주요 대응 애플리케이션
RF 통신 부품: POI(Piezoelectric on Insulator) 접합을 통한 고성능 표면 탄성파(SAW/BAW) 필터
전력 반도체: GaN-on-SiC 구조를 활용한 초고출력 HEMT 디바이스
광학/센서 부품: 사파이어 x SiC 결합을 통한 초정밀 광학 미러 및 극한 환경용 인텔리전트 MEMS 센서
4. R&D부터 양산 셋업까지, One-Stop 서비스 혜택
신소재 하이브리드 기판 개발 시, 웨이퍼 엣지 가공, 표면 연마, 진공 접합을 각기 다른 외주사에 의뢰할 경우 공정 호환성 결여로 막대한 R&D 리소스가 낭비됩니다. 대양하이테크를 통한 원스톱(One-stop) 수탁 가공을 이용하시면, 초기 막대한 설비 투자(CAPEX) 리스크를 회피하고 개발 리드타임을 획기적으로 단축할 수 있습니다.
단 1장의 선행 테스트 시편부터 대량 양산 조건 도출까지, 귀사의 차세대 신제품 개발을 성공으로 이끌어 줄 가장 신뢰할 수 있는 기술 파트너, 대양하이테크와 상의하십시오.